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概述

STM32F303xD/E 系列基于高性能 ARM® Cortex® -M4 32 位 RISC 内核，其 FPU 工作频率为 72 MHz，并嵌入浮点单元 (FPU)、内存保护单元 (MPU) 和嵌入式跟踪宏单元 (ETM)。该系列集成了高速嵌入式存储器（512 KB 闪存、80 KB SRAM）、用于静态存储器（SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND）的灵活存储器控制器 (FSMC)，以及连接到 AHB 和两个 APB 总线的大量增强型 I/O 和外设。这些设备提供四个快速 12 位 ADC（5 Msps）、七个比较器、四个运算放大器、两个 DAC 通道、一个低功耗 RTC、最多五个通用 16 位定时器、一个通用 32 位定时器和三个专用于电机控制的定时器。它们还具有标准和高级通信接口：最多三个 I2C、最多四个 SPI（两个 SPI 具有多路复用全双工 I2S）、三个 USART、最多两个 UART、CAN 和 USB。为了实现音频类精度，I2S 外设可以通过外部 PLL 进行时钟控制。
 

特性

核心：ARM® Cortex ® -M4 32 位 CPU，具有
72 MHz FPU、单周期乘法和
HW 除法、90 DMIPS（来自 CCM）、DSP
指令和 MPU（内存保护单元）
• 工作条件：
– VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V
• 内存
– 高达 512 KB 的闪存
– 64 KB 的 SRAM，在前 32 KB 上实现 HW 奇偶校验。
– 例程增强器：指令和数据总线上的 16 KB SRAM，带硬件奇偶校验 (CCM)
– 用于静态存储器的灵活存储器控制器 (FSMC)，带四个芯片选择
• CRC 计算单元
• 复位和电源管理
– 上电/断电复位 (POR/PDR)
– 可编程电压检测器 (PVD)
– 低功耗模式：睡眠、停止和待机
– RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源
• 时钟管理
– 4 至 32 MHz 晶体振荡器
– 带校准的 RTC 32 kHz 振荡器
– 带 x 16 PLL 选项的内部 8 MHz RC
– 内部 40 kHz 振荡器
• 最多 115 个快速 I/O
– 所有可映射到外部中断向量
– 多个 5 V 容限
• 互连矩阵
• 12 通道 DMA 控制器
• 四个 ADC 0.20 μs（最多 40 个通道）具有 12/10/8/6 位可选分辨率、0 至 3.6 V 转换范围、2.0 至 3.6 V 独立模拟电源
• 两个 12 位 DAC 通道，模拟电源为 2.4 至 3.6 V
• 七个超快速轨对轨模拟比较器，模拟电源为 2.0 至 3.6 V
• 四个可在 PGA 模式下使用的运算放大器，所有端子均可通过 2.4 至 3.6 V 模拟电源访问
• 最多 24 个电容式感应通道，支持触摸键、线性和旋转触摸传感器
• 最多 14 个计时器
– 一个 32 位计时器和两个 16 位计时器，最多四个 IC/OC/PWM 或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入
– 三个 16 位 6 通道高级控制计时器，最多六个 PWM通道、
 
死区生成和紧急停止
 
– 一个 16 位定时器，带有两个 IC/OC、一个
 
OCN/PWM、死区生成和
 
紧急停止
 
– 两个 16 位定时器，带有 IC/OC/OCN/PWM、
 
死区生成和紧急停止
 
– 两个看门狗定时器（独立、窗口）
 
– 一个 SysTick 定时器：24 位递减计数器
 
– 两个 16 位基本定时器，用于驱动 DAC
 
• 日历 RTC，带闹钟、定期从停止/待机模式唤醒
 
• 通信接口
 
– CAN 接口（2.0B 活动）
 
– 三个 I2C 快速模式加（1 Mbit/s），带
 
20 mA 电流吸收器、SMBus/PMBus、从停止模式唤醒
 
– 最多五个 USART/UART（ISO 7816
 
接口、LIN、IrDA、调制解调器控制）
 
– 最多四个 SPI，4 到 16 个可编程位帧，两个带多路复用半/全双工
I2S 接口
– 支持 LPM 的 USB 2.0 全速接口
– 红外发射器

功能框图

 

LQFP64引脚

 

封装

10 x 10 毫米薄型四方扁平封装